[发明专利]致孔剂,致孔的前体以及使用其来提供低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法

摘要

本发明涉及致孔剂，致孔的前体以及使用其来提供低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法，具体地公开了一种用于制备多孔有机硅玻璃膜的化学气相沉积方法，包括：在真空室内引入包含至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体，和不同于该前体的致孔剂的其它反应物，其中该致孔剂为具有非支化结构和等于或小于2的不饱和度的C4～C14环状烃化合物；在真空室中将能量施加到气态反应物以引发气态反应物的反应，由此在基底上沉积初级膜，其中该初级膜含有致孔剂；和从该初级膜中充分除去全部不稳定的有机材料，由此提供具有孔隙和小于2.6的介电常数的多孔膜。

主权项

1、一种用于制备式SivOwCxHyFz所示的多孔有机硅玻璃膜的化学气相沉积方法，其中v+w+x+y+z＝100％，v为10～35原子％，w为10～65原子％，x为5～30原子％，y为10～50原子％和z为0～15原子％，所述方法包括：在真空室中提供基底；在真空室内引入气态反应物，其包含至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体，和不同于该前体的致孔剂，其中该致孔剂为具有非支化结构和等于或小于2的不饱和度的C4～C14环状烃化合物；在真空室中将能量施加到气态反应物来引发气态反应物的反应，以在基底上沉积初级膜，其中该初级膜含有致孔剂；和从该初级膜中充分除去全部不稳定的有机材料，由此提供具有孔隙和小于2.6的介电常数的多孔膜。