[发明专利]用于减小器件性能漂移的哑元图案设计有效
| 申请号： | 200910136624.5 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101625997A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 鲁立忠;郭建志;李建毅;杨胜杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/20;H01L21/306;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 梁 永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于减小器件性能漂移的哑元图案设计。一种在芯片上形成集成电路结构的方法，包括：提取具有扩散区的有源层；扩大该有源图案，形成具有彼此垂直的第一边缘和第二边缘的哑元禁止区；在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区，其中包括：添加第一应力阻断哑元扩散区邻近于并且基本上平行于哑元禁止区的第一边缘；以及添加第二应力阻断哑元扩散区邻近于并且基本上平行于哑元禁止区的第二边缘。以及在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区的步骤之后，在芯片的其余间隙中添加通用哑元扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 器件 性能 漂移 图案 设计 | ||
【主权项】：
1、一种在芯片上形成集成电路结构的方法，该方法包括：从集成电路结构的设计中提取有源层，其中该有源层包括有源图案，并在其中该有源图案包括一个具有第一长度和第一宽度的扩散区；扩大该有源图案，形成具有彼此垂直的第一边缘和第二边缘的哑元禁止区；在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区，包括：添加第一应力阻断哑元扩散区，其邻近于并且基本上平行于哑元禁止区的第一边缘，其中第一应力阻断哑元扩散区具有大约不比有源图案的第一长度短的第二长度；以及添加第二应力阻断哑元扩散区，其邻近于并且基本上平行于哑元禁止区的第二边缘，其中的第二应力阻断哑元扩散区具有大约不比有源图案第一宽度短的第三长度；以及在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区的步骤之后，在芯片的其余间隙中添加通用哑元扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
