[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200910134807.3 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101556824A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 久保山贤一;有马秀明 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;H03K19/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储装置。在半导体存储装置中，第一ODT(片内终结)电路被设置在终结电压端口和命令输入端口之间。第一ODT控制电路被连接在终结电压端口和第一ODT电路之间，并且检测被施加于终结电压端口的电压的电平并且基于检测结果控制第一ODT电路以连接终结电压端口和命令输入端口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：第一ODT(片内终结)电路，所述第一ODT(片内终结)电路被设置在终结电压端口和命令输入端口之间；以及第一ODT控制电路，所述第一ODT控制电路被设置在所述终结电压端口和所述第一ODT电路之间，并且，所述第一ODT控制电路被构造为检测被施加于所述终结电压端口的电压的电平，以及基于检测结果来控制所述第一ODT电路以连接所述终结电压端口和所述命令输入端口。
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