[发明专利]GaN基半导体发光元件及其驱动方法、发光元件组件、发光设备和图像显示设备有效
| 申请号： | 200910134437.3 | 申请日： | 2009-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101562226A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 西中逸平;琵琶刚志;内藤宏树 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01S5/343;H01S5/06;H01S5/042;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基半导体发光元件及其驱动方法、发光元件组件、发光设备和图像显示设备，该GaN基半导体发光元件包括：第一GaN基化合物半导体层；具有多量子阱结构的活性层；和第二GaN基化合物半导体层，其中，构成活性层的势垒层中的至少一个由变化成分势垒层构成，且变化成分势垒层的成分沿其厚度方向变化以使变化成分势垒层的一个区域(该区域与在设置在较靠近第二GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量比变化成分势垒层的另一个区域(该区域与在设置在较靠近第一GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量要低。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体 发光 元件 及其 驱动 方法 组件 设备 图像 显示 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基半导体发光元件，包括：(A)n传导型的第一GaN基化合物半导体层；(B)具有包括阱层和分离相邻阱层的势垒层的多量子阱结构的活性层；(C)p传导型的第二GaN基化合物半导体层；(D)电连接到所述第一GaN基化合物半导体层的第一电极；以及(E)电连接到所述第二GaN基化合物半导体层的第二电极，其中，构成所述活性层的所述势垒层中的至少一个由变化成分势垒层构成，且所述变化成分势垒层的成分沿其厚度方向变化以使所述变化成分势垒层的第一区域中的带隙能量比所述变化成分势垒层的第二区域中的带隙能量低，其中，所述第一区域与在设置在较靠近所述第二GaN基化合物半导体层的一侧上的阱层和所述变化成分势垒层之间的边界相邻，所述第二区域与在设置在较靠近所述第一GaN基化合物半导体层的一侧上的阱层和所述变化成分势垒层之间的边界相邻。
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