[发明专利]薄膜晶体管数组基板

摘要

一种薄膜晶体管数组基板，其利用堆栈结构垫高薄膜晶体管的汲极的延伸电极，因此通孔不需要太深即可暴露出汲极的延伸电极。

主权项

1、一种薄膜晶体管数组基板，其特征在于，包含：一基材；一第一图案化导电层位于该基材上，其中该第一图案化导电层包含一扫描线、一闸极及一浮置电极，其中该闸极电性连接该扫描线；一第一绝缘层位于该第一图案化导电层上；一半导体层，位于该第一绝缘层上，其中该半导体层包含一通道区；一第二图案化导电层位于该第一绝缘层上，其中该第二图案化导电层包含一源极、一汲极、和扫描线交错的数据线及一汲极的延伸电极，且该闸极、该源极、该汲极及该通道区构成一薄膜晶体管，其中该源极电性连接该数据线且该汲极的延伸电极部分和该浮置电极重迭；一第二绝缘层位于该第二图案化导电层上；一通孔，贯穿该第二绝缘层，并暴露出部分该汲极的延伸电极；以及一像素电极，通过该通孔，电性连接该汲极的延伸电极。