“邱骏仁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]显示装置及显示面板的布线方法-CN201710301215.0有效
发明人：黄政智;邱骏仁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示装置及显示面板的布线方法，该显示装置包含显示面板、集成电路芯片、连接线组、共用连接线、导通线与修复线，显示面板包括第一基板与第二基板。相邻的集成电路芯片电性连接对应的数据线。连接线组电性连接第一集成电路芯片和第二集成电路芯片。共用连接线电性连接第一集成电路芯片与第二集成电路芯片，且其一部分设置于第一基板内表面上。导通线设置于第一基板内表面上，并连接连接线组与共用连接线。修复线电性连接连接线组，且修复线跨越分别与第一集成电路芯片及与第二集成电路芯片电性连接的数据线。
显示装置显示面板布线方法

[发明专利]显示面板-CN201410199020.6有效
发明人：林建佑;林奕升;邱骏仁;林易泽 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板包括一阵列基板、一对向基板、一显示介质、一内围绕体、一外围绕体与一框胶。对向基板与阵列基板相对设置。显示介质介于阵列基板与对向基板之间。内围绕体介于阵列基板与对向基板之间，且完全地围绕显示介质。外围绕体介于阵列基板与对向基板之间，且完全地围绕内围绕体，其中内围绕体、外围绕体、阵列基板与对向基板共同定义出一容置空间。框胶位于容置空间中，且接触内围绕体、外围绕体、阵列基板与对向基板。
显示面板

[发明专利]一种具有静电防护功能的显示面板-CN201410169929.7在审
发明人：吴智远;林国傧;邱骏仁;刘湘绮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供一种具有静电防护功能的显示面板，包括：阵列基板，具有一显示区和一外围区；彩色滤光片基板，与阵列基板相对设置，且对应于阵列基板的显示区；第一金属层，位于外围区，该第一金属层具有一信号走线耦接至彩色滤光片基板内部；第二金属层，位于第一金属层的下方；以及静电防护结构，位于外围区，电性耦接至第一金属层。当阵列基板上出现静电时，藉由静电防护结构的崩溃将静电提前释放至外围区。相比于现有技术，本发明透过静电防护结构将阵列基板上的静电提前释放至外围区，从而避免静电进入彩色滤光片基板内部造成金属层与共通电极发生短路的情形，以便保护面板内的关键电路和偏光片等光学元件。
一种具有静电防护功能显示面板

[发明专利]液晶显示面板-CN201110180755.0有效
发明人：曾文贤;黄彦衡;白佳蕙;陈宗凯;郑为元;黄义仁;邱骏仁;吴欲志;邱渊楠 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G02F1/1341 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板，其包括主动元件阵列基板、对向基板、框胶、液晶层、黑矩阵以及多个粗糙化结构。主动元件阵列基板具有显示区以及环绕显示区的外围区，且外围区及液晶层被框胶环绕。黑矩阵配置于主动元件阵列基板与对向基板之间，且对应于显示区与外围区分布。粗糙化结构配置于部分黑矩阵上，且对应于外围区分布，其中粗糙化结构的表面粗糙度高于对应于显示区分布的黑矩阵的表面粗糙度。本发明的液晶显示面板的外围区的黑矩阵包括多个突起或多个粗糙化结构，可减少在显示面板填入液晶层时所形成的气泡。
液晶显示面板

[发明专利]主动元件阵列基板-CN201010254075.4有效
发明人：洪敏翔;黄铭涌;邱骏仁;吴欲志;邱渊楠;曾庆安;黄彦衡 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明有关于一种主动元件阵列基板，其包括一基板、多条扫描线、多条数据线、多个像素。扫描线及数据线配置于基板上。各像素包括多个子像素，且各子像素包括至少一晶体管、一像素电极及一彩色滤光薄膜。晶体管配置于基板上，并与对应的扫描线及对应的数据线电性连接。部分彩色滤光薄膜位于像素电极与扫描线之间。像素电极与对应的扫描线耦合成一第一电容，而晶体管的漏极与对应的扫描线耦合成一第二电容。在单一像素中，对应到不同彩色滤光薄膜的各像素电极与扫描线的耦合面积不同以使第一电容彼此实质上相同。
主动元件阵列

[发明专利]液晶显示面板-CN201010214416.5无效
发明人：曾文贤;黄彦衡;白佳蕙;陈宗凯;郑为元;黄义仁;邱骏仁;吴欲志;邱渊楠 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G02F1/1341 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板，其包括主动元件阵列基板、对向基板、框胶、液晶层、黑矩阵以及多个粗糙化结构。主动元件阵列基板具有显示区以及环绕显示区的外围区，且外围区及液晶层被框胶环绕。黑矩阵配置于主动元件阵列基板与对向基板之间，且对应于显示区与外围区分布。粗糙化结构配置于部分黑矩阵上，且对应于外围区分布，其中粗糙化结构的表面粗糙度高于对应于显示区分布的黑矩阵的表面粗糙度。本发明的液晶显示面板的外围区的黑矩阵包括多个突起或多个粗糙化结构，可减少在显示面板填入液晶层时所形成的气泡。
液晶显示面板

[发明专利]主动元件阵列基板以及显示面板-CN200910175191.4有效
发明人：黄彦衡;陈宗凯;白佳蕙;侯鸿龙;曾庆安;李佳育;陈介伟;林以尊;邱骏仁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动元件阵列基板，其包括基板、主动元件阵列、黑矩阵层、彩色滤光层、至少一焊垫以及至少一接触窗。基板具有显示区及周边电路区，而主动元件阵列配置于基板的显示区内。黑矩阵层及彩色滤光层配置于基板上。焊垫位于显示区或周边电路区内，且焊垫由第一导电层及第二导电层中的至少一个所构成。接触窗设置于焊垫上，使焊垫上方的第三导电层经由接触窗向下连接到焊垫。接触窗被至少两种不同的遮光图案围绕，且每一遮光图案只围绕接触窗周围区域的一部分。实施本发明，可使接触窗的尺寸不需受限于黑矩阵中可以形成的开口尺寸，即不需受黑矩阵的工艺解析度的限制，有助于降低工艺成本，提高工艺可靠度。
主动元件阵列以及显示面板

[发明专利]有源元件阵列基板与显示面板-CN200910150879.7有效
发明人：黄彦衡;陈宗凯;洪桂彬;陈启盛;侯鸿龙;曾庆安;李佳育;陈介伟;林以尊;邱骏仁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种有源元件阵列基板与显示面板，该有源元件阵列基板包括一基板，且基板上配置有至少一定位标记，此外，一黑矩阵配置于基板上，并且覆盖定位标记，此黑矩阵在基板上划分出多个像素区，多个有源元件对应于所述多个像素区配置，该有源元件阵列基板对黑矩阵的光穿透率与光学密度进行限定，其中对于对位机台所使用的长波长的检测光源，黑矩阵可具有较高的光穿透率，以使对位机台对定位标记具有良好的辨识度。同时，对于具有较短波长的显示光源，黑矩阵仍然具有高光学密度，以维持良好的显示对比。此外，定位标记可由至少两层的金属层来构成，以增加金属层的总厚度，加大作为标记图案的金属斜面，因而有助于提高对位机台对定位标记的辨识度。
有源元件阵列显示面板

[发明专利]薄膜晶体管数组基板-CN200910132644.5有效
发明人：曾庆安;侯鸿龙;李佳育;陈介伟;朱公勍;黄彦衡;陈宗凯;林以尊;邱骏仁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管数组基板，其利用堆栈结构垫高薄膜晶体管的汲极的延伸电极，因此通孔不需要太深即可暴露出汲极的延伸电极。
薄膜晶体管数组

[发明专利]阵列基板与显示面板-CN200810190512.3有效
发明人：林以尊;邱骏仁;黄彦衡 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板与显示面板，其中，所述显示面板包括第一基板、像素阵列、周边线路、第一保护层、第二保护层、显示介质以及第二基板。第一基板具有显示区域以及周边区域，其中像素阵列配置于显示区域上，周边线路配置于周边区域上，像素阵列与周边线路电连接。第一保护层配置于显示区域以及周边区域上，以覆盖像素阵列以及周边线路。第二保护层至少配置于周边区域内的第一保护层上，其中，第二保护层包括彩色滤光材料层、黑矩阵材料层、感光支撑材料层或所述多个材料层的组合。第二基板配置于第一基板上方，以将周边区域外露。
阵列显示面板

[发明专利]制造限制性电荷存储器的方法-CN200610007766.8有效
发明人： 邱骏仁;刘光文;陈昕辉;黄俊仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种制造局部限制性电荷存储器的方法，此法可排除鸟喙效应的障碍。布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物－氮化物－氧化物层(oxide－nitride－oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极结构在曝露出来的ONO层上被形成。一个氧化物间隔沉积到该至少有一处曝露而形成栅极的ONO层的一部分上，没有被氧化物间隔覆盖的一部分被移除，因此曝露出部分基板。至少一条位线形成在该曝露出来的基板上。本发明另一种制造局部限制性电荷存储器的方法，是在移除部分第一层多晶硅后，以一倾斜角度植入一布植囊袋穿过ONO层进入基板。
制造限制性电荷存储器方法

[发明专利]程序化快闪存储单元的方法-CN03145407.0有效
发明人：黄俊仁;周铭宏;邱骏仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-06-12 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：一种程序化快闪存储单元的方法，包括判断快闪存储单元中，所要被程序化的其中一位以外的另一位的阈值电压。另外，在另一位的阈值电压为未程序化阈值电压时，将闪存内要被程序化的其中一位，程序化至具第一高阈值电压的被程序化状态；且在另一位的阈值电压为已程序化的阈值电压时，将要被程序化的其中一位，程序化至具第二高阈值电压的被程序化状态；且其中第一高阀值电压比第二高阈值电压还低。
程序化闪存单元方法

1
共 12 条