[发明专利]半导体发光装置

摘要

本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。

主权项

1.一种半导体发光装置，其特征在于，具备衬底部件和配置在上述衬底部件上的半导体发光元件，上述衬底部件具备：基板；电极部，配置在上述基板的上表面上，与上述半导体发光元件直接接触；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不与上述半导体发光元件及上述电极部直接接触；上述电极部包括形成在上述基板的上述上表面上的电极、以及将上述半导体发光元件和上述电极电连接的连接部；上述反射部由Al或包含Al的合金形成；上述电极由Au或以Au为主成分的合金形成时，上述半导体发光元件发出的光的波长带是200nm以上、600nm以下；上述电极由Pt或以Pt为主成分的合金形成时，上述波长带是200nm以上、800nm以下；上述电极由Cu或以Cu为主成分的合金形成时，上述波长带是200nm以上、630nm以下；上述电极由Ni或以Ni为主成分的合金形成时，上述波长带是200nm以上、800nm以下；上述电极由Rh或以Rh为主成分的合金形成时，上述波长带是200nm以上、800nm以下。