[发明专利]GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置有效
| 申请号： | 200910127136.8 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101533885A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 内藤宏树;奥山浩之;琵琶刚志;西中逸平 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01S5/028;H01S5/042;G02F1/35;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 驱动 组件 装置 图像 显示装置 | ||
【主权项】：
1. 一种GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至所述第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至所述第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，所述杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进所述活性层；以及(G)层压结构，其中，所述杂质扩散阻挡层和所述层压结构以从所述活性层侧的顺序被配置在所述活性层与所述第二GaN基化合物半导体层之间；并且所述层压结构包括至少一个层压单元，在该层压单元中，以从所述活性层侧的顺序堆叠p型导电型的GaN基化合物半导体层和未掺杂的GaN基化合物半导体层。
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