[发明专利]二极管有效
| 申请号： | 200910126539.0 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101533859A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 三好诚二;冈田哲也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及二极管。在半导体基板的第一主面设置有电导率调制型元件的pn结二极管中，若为缩短反向恢复时间(trr)而降低p型杂质区域的杂质浓度，则存在空穴的注入降低，某电流点的正向电压(VF)的值变高的问题。若导入用于降低反向恢复时间的寿命扼杀剂则存在漏电流增加等问题。在单晶硅层即n-型半导体层上设置p型多晶硅层。与单晶硅层相比，由于多晶硅层中晶界多，故可抑制施加正向电压时从p型多晶硅层注入到n-型半导体层的空穴量。也可通过形成p型多晶硅层时形成在n-型半导体层和p型多晶硅层之间的自然氧化膜来降低注入到n-型半导体层的空穴量。可以不使用寿命扼杀剂而缩短施加反向电压时抽出空穴所需时间即反向恢复时间。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 | ||
【主权项】：
1. 一种二极管，其特征在于，具有：n型半导体基板、设置在该n型半导体基板上的n型半导体层、设置在该n型半导体层上的p型多晶硅层、设置在该p型多晶硅层表面的第一电极、设置在所述n型半导体基板的第二电极。
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