[发明专利]适用于高方阻的低温烧结技术无效
| 申请号： | 200910099023.1 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101908577A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 胡本和 | 申请（专利权）人： | 胡本和 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;F27B5/02 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人： | 戴晓翔;胡龙祥 |
| 地址： | 333100 江西省鄱*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于高方阻的低温烧结技术，现有技术的银被驱赶得太深，导致高导电性的磷扩散区域被封闭等缺陷，本发明是将欲扩散的方块电阻调节至66～75欧姆之间，将银浆按照0.4～0.6g的湿重印刷在方块电阻上，再将印刷了银浆的方块电阻以3000～5000mm/min的速度穿越200～450℃的低温烧结炉进行烧结。本发明可以在扩散浅结低浓度的情况下形成好的欧姆接触，提升短路电流和开路电压；避免了死层效应带来的转换效率降低的缺陷。可以在低温情况下使得银与硅形成好的欧姆接触得到较低的串联电阻和较高的填充因子、短路电流；通过烧结穿透实现与N型扩散区的欧姆接触而同时又不会损坏附近的结区。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 高方阻 低温 烧结 技术 | ||
【主权项】：
适用于高方阻的低温烧结技术，其特征是：将欲扩散的方块电阻调节至66～75欧姆之间，将银浆按照0.4～0.6克的湿重印刷在方块电阻上，再将印刷了银浆的方块电阻以3000～5000mm/min的速度穿越200～450℃的低温烧结炉进行烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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