[发明专利]适用于高方阻的低温烧结技术

权利要求书

1.适用于高方阻的低温烧结技术，其特征是：将欲扩散的方块电阻调节至66～75欧姆之间，将银浆按照0.4～0.6克的湿重印刷在方块电阻上，再将印刷了银浆的方块电阻以3000～5000mm/min的速度穿越200～450℃的低温烧结炉进行烧结。

2.根据权利要求1所述的适用于高方阻的低温烧结技术，其特征是所述的低温烧结炉分为连续的10段温区，1～3段温区为烘干区，4～6段温区位玻璃熔融区，7～10段温区为快速烧结区，第1段温区至第10段温区的温度依次设定为200℃、250℃、300℃、300℃、330℃、380℃、400℃、410℃、420℃、430℃。

3.根据权利要求1所述的适用于高方阻的低温烧结技术，其特征是对银浆湿重的控制通过调节丝网间距和印刷压力实现。