[发明专利]纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法

摘要

本发明公开了一种纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法，把立方氮化硼薄膜放入加热室中，加热室先抽真空到至少10^-3Torr，然后保持真空度不变，或充入保护气体再抽真空到至少10Torr，接着将加热室升温到1000-1300℃之间，保温1-5小时，冷却至室温即可。该方法可用于在各种衬底上沉积的立方氮化硼薄膜的残留压缩应力的释放，并且不改变立方氮化硼薄膜的组成、结构和表面形貌。极大提高立方氮化硼薄膜在各种衬底上的结合力。使立方氮化硼薄膜适用于制备加工铁基合金的刀具和磨具等，也可以适用在光学元件的保护膜，高温电子器件等领域。

主权项

1.纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法，其特征是把立方氮化硼薄膜放入加热室中，加热室先抽真空到至少10-3Torr，然后保持真空度不变，或充入保护气体再抽真空到至少10Torr，接着将加热室升温到1000-1300℃，保温1-5小时，冷却至室温即可。