[发明专利]Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910095453.6 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101483219A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;张利强;张银珠;吕建国;何海平;朱丽萍 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;H01L21/203;H01L21/363;C23C14/34 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜，其Co的摩尔百分含量为2≤x≤10％，Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3％。采用脉冲激光沉积法制备，以纯ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末混合烧结的陶瓷片为靶材，将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽至本底真空小于8.0×10-4Pa，在压强为2～15Pa的O2气氛下生长，温度为350～700℃。本发明制备方法简单，n型掺杂载流子浓度可以达到5.0×1019～5.0×1020cm-3，并且同时具有室温铁磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | co ga zno 基稀磁 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜，其特征是该薄膜中Co的摩尔百分含量为2≤x≤10％，Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3％。
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