[发明专利]Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910095453.6 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101483219A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;张利强;张银珠;吕建国;何海平;朱丽萍 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;H01L21/203;H01L21/363;C23C14/34 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | co ga zno 基稀磁 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜，其特征是该薄膜中Co的摩尔百分含量为2≤x≤10％，Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3％。
2.根据权利要求1所述的Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)称量纯ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末，其中Co的摩尔百分含量为2≤x≤10％，Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3％。将上述粉末球磨混合均匀、压制成型，然后在1000～1300℃温度下烧结，制得Zn(Co，Ga)O陶瓷靶；
2)将步骤1)制得的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，保持靶材与衬底之间的距离为4～6cm，生长室真空度抽至小于8.0×10-4Pa，衬底加热升温到350～700℃，生长室通入O2气体，控制压强为2～15Pa，开启激光器，让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材，沉积在衬底上，得到Co-Ga共掺杂生长n型ZnO基稀磁半导体薄膜，然后在50Pa氧气氛下冷却至室温。
3.根据权利要求2所述的Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备方法，其特征在于所说的衬底是硅或蓝宝石或氧化锌或石英或玻璃。
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