[发明专利]从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910088909.6 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101597759A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;郭清秀;杨冰;赵卫平 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C30B29/38;C01B21/064 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 萍 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法。属于宽带隙半导体或者超硬材料薄膜制备领域。立方氮化硼薄膜为氮化硼中最难直接制备的材料，始终制约着立方氮化硼薄膜从实验室走向工业化的进程。本发明第一步：将衬底进行清洗之后，在所选的衬底材料上沉积一层硼薄膜；第二步：对硼薄膜在氮气气氛中进行加热，使硼膜和氮气反应，生成立方相氮化硼薄膜，加热温度为850～1100℃；反应时间为30～150分钟。本发明制备的立方氮化硼薄膜中立方相含量(立方相的体积分数)大于90％。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 立方 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法，其特征在于：第一步：将衬底进行清洗之后，在衬底材料上沉积一层硼薄膜；第二步：硼薄膜在氮气气氛中进行加热，使薄硼膜和氮气反应，生成立方相氮化硼薄膜，加热温度为850～1100℃；反应时间为30～150分钟。
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