[发明专利]气体输入装置和半导体加工设备有效
| 申请号： | 200910086605.6 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101924015A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张风港 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/18;C23C14/00;C23C16/455;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体输入装置，用于向半导体晶片表面输入工艺气体，包括：主进气部，基本朝向所述半导体晶片的中心；补偿环，所述主进气部基本位于所述补偿环的轴线位置；密封环，与所述补偿环密封连接，从而在所述密封环和补偿环之间形成有气流分配腔；所述密封环具有至少两个进气口，所述补偿环具有出气口，所述出气口朝向所述补偿环的轴线方向。所述气体输入装置和半导体加工设备，能够改善所处理的半导体晶片整个表面上方气流分布的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 输入 装置 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种气体输入装置，用于向半导体晶片表面输入工艺气体，其特征在于，包括：主进气部，基本朝向所述半导体晶片的中心；补偿环，所述主进气部基本位于所述补偿环的轴线位置；密封环，与所述补偿环密封连接，从而在所述密封环和补偿环之间形成有气流分配腔；所述密封环具有至少两个进气口，所述补偿环具有出气口，所述出气口朝向所述补偿环的轴线方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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