[发明专利]一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法有效
| 申请号： | 200910086136.8 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101924182A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王志刚;胡文平;段小丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40;G01N25/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;任凤华 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法。用于测定的有机场效应晶体管，依次包括基板、位于所述基板上的源电极和漏电极，覆盖所述基板、源电极和漏电极的有机半导体薄膜层、位于所述有机半导体薄膜层之上的绝缘层和覆盖所述绝缘层的栅极；所述栅极在所述绝缘层上的覆盖面积小于所述基板面积。通过测定不同温度下的有机场效应晶体管的转移曲线，得到该半导体器件的场效应迁移率随温度的变化曲线，该曲线的斜率转折点所对应的温度就是作为绝缘层的聚合物的玻璃化转变温度。该方法的操作简便，制备工艺简单，只需对一个半导体器件进行测定，就可同时测出聚合物薄膜的本体和表面玻璃化转变温度两个特征温度，且重现性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测定 聚合物 玻璃化 转变 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种有机场效应晶体管，依次包括基板、位于所述基板上的源电极和漏电极，覆盖所述基板、源电极和漏电极的有机半导体薄膜层、位于所述有机半导体薄膜层之上的绝缘层和覆盖所述绝缘层的栅极；所述栅极在所述绝缘层上的覆盖面积小于所述基板面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院化学研究所，未经中国科学院化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910086136.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
