[发明专利]一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法

权利要求书

1.一种有机场效应晶体管，依次包括基板、位于所述基板上的源电极和漏电极，覆盖所述基板、源电极和漏电极的有机半导体薄膜层、位于所述有机半导体薄膜层之上的绝缘层和覆盖所述绝缘层的栅极；

所述栅极在所述绝缘层上的覆盖面积小于所述基板面积。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：所述构成基板的材料为硅片，所述构成源电极和漏电极的材料为金，所述构成有机半导体薄膜层的材料为稠环芳香族有机半导体化合物；所述构成绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯苯酚、聚对二甲苯或二氧化硅；所述构成栅极的材料选自金、银、铝、钙和镁中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于：所述稠环芳香族有机半导体化合物为酞菁类化合物、卟啉类化合物或具有平面分子构形的有机半导体化合物；

其中，所述酞菁类化合物优选酞菁铜或十六氟代酞菁铜；所述卟啉类化合物优选四苯基卟啉；所述具有平面分子构形的有机半导体化合物优选苝、并五苯、二氯并四苯、四氟代并四苯或苝-四氰代二甲基苯醌。

4.根据权利要求1-3任一所述的晶体管，其特征在于：所述源电极和漏电极之间相距50-100微米；所述绝缘层的膜厚不超过2微米。

5.一种制备权利要求1所述的有机场效应晶体管的方法，包括如下步骤：

1)在基板上用热沉积法制备源电极和漏电极；

2)将有机半导体薄膜层热沉积到所述源电极和漏电极上，使其覆盖整个基板和所述源电极和漏电极，有机半导体薄膜的厚度为50纳米；

3)在所述有机半导体薄膜层上用旋涂法覆盖绝缘层；

4)在绝缘层上沉积一层金属膜作为栅极，得到所述有机场效应晶体管；其中，所述栅极在所述绝缘层上的覆盖面积小于所述基板面积。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述构成基板的材料为硅片，所述构成源电极和漏电极的材料为金，所述构成有机半导体薄膜层的材料为稠环芳香族有机半导体化合物；所述构成绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯苯酚、聚对二甲苯或二氧化硅；所述构成栅极的材料选自金、银、铝、钙和镁中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述稠环芳香族有机半导体化合物为酞菁类化合物、卟啉类化合物或具有平面分子构形的有机半导体化合物；

其中，所述酞菁类化合物优选酞菁铜和十六氟代酞菁铜；所述卟啉类化合物优选四苯基卟啉；所述具有平面分子构形的有机半导体化合物优选苝、并五苯、二氯并四苯、四氟代并四苯和苝-四氰代二甲基苯醌。

8.根据权利要求5-7任一所述的方法，其特征在于：所述源电极和漏电极之间相距50-100微米；

所述步骤2)中，热沉积步骤中，沉积压力为4～6×10^-4帕，沉积速度为0.2～0.4埃/秒；

所述步骤3)中，绝缘层的膜厚不超过2微米，覆盖绝缘层的方法为旋涂法。