[发明专利]非易失性存储器控制栅极字线的加工方法有效
| 申请号： | 200910082356.3 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866884A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 曹恒;金龙灿;杨海玩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/20;H01L21/316;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器控制栅极字线的加工方法，待加工的晶片已形成控制栅极，所述控制栅极的顶部由氮化硅构成；在所述晶片上表面沉积第一层多晶硅薄膜；在所述第一层多晶硅薄膜的上表面沉积氧化物隔离层，并在外围电路区的氧化物隔离层上覆盖光刻胶；对所述晶片进行蚀刻，当未被光刻胶覆盖的氧化物隔离层反应完毕后停止蚀刻；移除光刻胶，在所述晶片残余的第一层多晶硅薄膜和氧化物隔离层的上表面沉积第二层多晶硅薄膜；对所述晶片进行字线化学机械抛光，存储单元区的控制栅极顶部的氮化物露出多晶硅薄膜的上表面，则停止字线化学机械抛光。。本发明方案可以避免字线化学机械抛光过程中造成的阶梯状高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 控制 栅极 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器控制栅极字线的加工方法，待加工的晶片已形成控制栅极，所述控制栅极的顶部由氮化硅构成，所述晶片上控制器栅极分布的区域称为存储单元区，存储单元区的外围区域称为外围电路区；其特征在于，包括如下步骤：在所述晶片上表面沉积第一层多晶硅薄膜；在所述第一层多晶硅薄膜的上表面沉积氧化物隔离层，并在外围电路区的氧化物隔离层上覆盖光刻胶；对所述晶片进行蚀刻，当未被光刻胶覆盖的氧化物隔离层反应完毕后停止蚀刻；移除光刻胶，在所述晶片残余的第一层多晶硅薄膜和氧化物隔离层的上表面沉积第二层多晶硅薄膜；对所述晶片进行字线化学机械抛光，存储单元区的控制栅极顶部的氮化物露出多晶硅薄膜的上表面，则停止字线化学机械抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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