[发明专利]一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法。复合存储介质浮栅存储器结构由下至上依次包括硅衬底、隧穿介质层、氮化硅、硅纳米晶、高温氧化物、多晶硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的侧墙。利用本发明，解决了传统Flash技术节点可缩小化问题存在的不足，采用两种存储介质储存电荷，增大了存储窗口，使浮栅存储电荷的可靠性增加，提高了浮栅器件的保持特性。

主权项

一种复合存储介质浮栅存储器结构，其特征在于，该结构由下至上依次包括硅衬底、隧穿介质层、氮化硅、硅纳米晶、高温氧化物、多晶硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的侧墙。