[发明专利]抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法有效
| 申请号： | 200910077522.0 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101783298A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王文武;陈世杰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制高介电常数(k)栅介质/金属栅结构在高温退火下界面层生长的方法，该方法包括：在硅衬底上生长SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积金属栅电极；以及在金属栅电极上沉积一层多晶硅帽层。利用本发明，可以达到在高温条件下阻止退火环境中的氧分子扩散到SiO2/Si界面，进而与Si衬底反应生成SiO2层的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 介质 金属 结构 界面 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制高k栅介质/金属栅结构在高温退火下界面层生长的方法，其特征在于，该方法包括：在硅衬底上生长SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积金属栅电极；以及在金属栅电极上沉积一层多晶硅帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
