[发明专利]一种GaAs基InAs量子环的制备方法无效
| 申请号： | 200910066885.4 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101556916A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李林;刘国军;李占国;李梅;王勇;王晓华;曲轶;薄报学 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/324;C23C16/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaAs基InAs量子环材料的制备方法，属于半导体物理和固态量子信息材料领域。该领域已知技术制备量子环的方法，是使用复杂的光刻技术制备量子环或利用MBE(分子束外延)技术自组织方法制备量子环。利用光刻技术制备的量子环，制备工艺复杂，成本高，且容易引入缺陷。而采用MBE技术自组织方法制备量子环，相对来说比较简单，即首先生长自组织量子点，然后生长一层极薄的覆盖层将量子点部分覆盖，最后经过退火过程，量子点就会自发转变成纳米自组织量子环。利用该方法制备的量子环的优点是尺寸可以做得很小，且量子环中缺陷大大地降低。本发明采用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术生长各外延层，通过改变各外延层的生长参数，包括InAs量子点层和GaAs覆盖层的生长温度，生长速率，厚度，以及退火温度和时间等，获得了椭圆形InAs量子环。该方法易于控制，工艺稳定。量子环在纳米器件方面具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas inas 子环 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种量子环材料的外延层结构，其特征在于，采用MOCVD外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InAs量子点层、GaAs覆盖层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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