[发明专利]提高掩膜板图形关键尺寸均匀性的方法有效
| 申请号： | 200910057281.3 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101893819A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 何伟明;魏芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高掩膜板图形关键尺寸均匀性的方法，在光刻工艺过程中包括如下步骤：(1)在掩膜板制作之前，在版图内不允许插入虚拟图形的区域内加入多个辅助图形，以平衡不同局部区域图形密度的差异；(2)依据加入辅助图形后的修正版图进行掩膜板的制作；(3)通过光刻工艺曝光形成芯片图形。本发明能增加掩膜板上芯片单元内图形关键尺寸和剖面的均匀性，从而提高晶圆层次上的关键层次的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 掩膜板 图形 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高掩膜板图形关键尺寸均匀性的方法，其特征是：在光刻工艺过程中包括如下步骤：(1)在掩膜板制作之前在版图内依据一定的规则插入辅助图形，该规则是在版图内不允许插入虚拟图形的区域内加入多个辅助图形；(2)依据加入辅助图形后的修正版图进行掩膜板的制作；(3)通过光刻工艺曝光形成芯片图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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