[发明专利]一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料及其制备方法有效

申请号：	200910054967.7	申请日：	2009-07-16
公开（公告）号：	CN101613856A	公开（公告）日：	2009-12-30
发明（设计）人：	祝迎春;刘真	申请（专利权）人：	中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号：	C23C16/30	分类号：	C23C16/30;C23C16/44;C09K11/80
代理公司：	上海光华专利事务所	代理人：	余明伟
地址：	200050上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明涉及一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料和进一步掺杂稀土元素铕的铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料，及其制备方法。本发明的铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料光学带宽约为2.64eV，相比于纯净氮化硅其光学带宽大大降低，使得它在半导体光电器件方面的应用成为可能；掺杂稀土元素Eu的铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料呈现出以582nm为中心、半高宽为100nm的黄-橙色发射光谱，具有优良的发光性能，使得它在半导体固态照明的应用方面的应用成为可能。
搜索关键词：	一种掺杂氮化 si sub 基材料及制备方法
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【主权项】：

1、一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料，其特征在于，铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料为α相氮化硅(α-Si3N4)，且材料中Al所占原子百分比为0.1 0％～0.80％。

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