[发明专利]浮栅放电尖角的制作方法无效
| 申请号： | 200910054928.7 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958240A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 李勇;刘艳;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供浮栅放电尖角的制作方法，所述浮栅放电尖角的制作方法至少包括如下步骤：氧化所述浮栅的侧墙，形成侧壁氧化层；去除所述侧壁氧化层和部分浮栅顶角氧化层，以形成浮栅放电尖角。本发明制作的浮栅放电尖角得尖锐程度很大，可以提高Flash数据擦除速度。 | ||
| 搜索关键词： | 放电 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅放电尖角的制作方法，包括步骤：在衬底上依次形成第一氧化层、浮栅层、第一氮氧化硅层、第二氧化层、第二氮氧化硅层、控制栅层、第三氧化层、第三氮氧化硅层；对所述第一氮氧化硅层、第二氧化层、第二氮氧化硅层、控制栅层、第三氧化层、第三氮氧化硅层进行掩模、刻蚀，以形成控制栅；依次形成第四氧化层、第四氮化硅层；以所述控制栅为掩模刻蚀所述第四氧化层、第四氮化层和浮栅层，以形成浮栅；氧化所述浮栅的侧墙，形成侧壁氧化层；去除所述侧壁氧化层和部分浮栅顶角氧化层，以形成浮栅放电尖角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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