[发明专利]用于半导体N\P型致冷晶片表面电镀前处理的粗化液及相关的电镀前处理工艺有效
| 申请号： | 200910053901.6 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101701348A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 陈良杰 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/54;C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 200444 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体N\P型致冷晶片表面电镀前处理的粗化液，包括溶液A，溶液A包括5～20％(体积)氢氟酸、20～40％(体积)硝酸和0.5～5g/L的十二烷基磺酸钠、余量为水；较佳地，还包括溶液B，溶液B包括10～50g/L的溴酸钾和2～10％(体积)硝酸，余量为水，还提供了采用上述粗化液对半导体N\P型致冷晶片表面进行电镀前处理工艺，将经脱脂后的半导体N\P型致冷晶片浸入溶液A进行刻蚀粗化，然后浸入溶液B进行除灰处理，本发明的电镀前处理工艺能增加基材与镍层的结合力，提高致冷晶片的致冷温差和性能，且不会导致晶片的破裂，降低了生产成本，提高了产品合格率，及生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 致冷 晶片 表面 电镀 处理 粗化液 相关 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于半导体N\P型致冷晶片表面电镀前处理的粗化液，其特征在于，所述的粗化液包括溶液A，所述溶液A包括5～20％(体积)氢氟酸、20～40％(体积)硝酸和0.5～5g/L的十二烷基磺酸钠、余量为水。
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