[发明专利]半导体设计仿真领域中电路容差测量方法有效
| 申请号： | 200910053010.0 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101706831A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张欣;路向党 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体设计仿真领域中针对金属-氧化物-半导体场效应管的失配(Mismatch)的建模方法，包括下列步骤：测试被模拟器件的特性，建立被模拟器件的标准模型；测试被模拟器件的失配特性，在标准模型的基础上添加相应的公式，建立另一个包含被模拟器件的失配信息的模型，判断该失配模型与标准模型的差值与测试值是否一致。本发明提出半导体设计仿真领域中器件失配的建模方法，应用该方法所得到的模型于电路的仿真中能够精确的判断电路对失配的容差是否在规定范围之类，并且相对Monte Carlo的仿真方法仿真的过程耗时更短，效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 设计 仿真 域中 电路 测量方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设计仿真领域中器件失配特性的建模方法，其特征在于在标准模型之外，新建立一个模型卡，该模型卡包含器件失配信息，并且其失配量的大小由使用者根据需要设定，该方法包括下列步骤：测试被模拟器件的特性；建立被模拟器件的标准模型；测试被模拟器件的实际失配特性；在标准模型的基础上加入变量和参数产生包含器件失配信息的失配模型；计算两个模型仿真结果之差，判断其是否与实际失配特性测试结果一致，其中所述标准模型反映器件的标准电学特性，所述失配模型应用到仿真中时根据使用者输入的信息产生不同的失配偏移量。
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