[发明专利]半导体设计仿真领域中电路容差测量方法

权利要求书

1.一种半导体设计仿真领域中器件失配特性的建模方法，其特征在于在标 准模型之外，新建立一个模型卡，该模型卡包含器件失配信息，并且其失配量 的大小由使用者根据需要设定，该方法包括下列步骤：

测试被模拟器件的特性；

建立被模拟器件的标准模型；

测试被模拟器件的实际失配特性；

在标准模型的基础上加入变量和参数产生包含器件失配信息的失配模型；

计算两个模型仿真结果之差，判断其是否与实际失配特性测试结果一致，

其中所述标准模型反映器件的标准电学特性，所述失配模型应用到仿真中 时根据使用者输入的信息产生不同的失配偏移量。

2.根据权利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，所述标 准模型和失配模型包括可应用于SPICE仿真的模型。

3.根据权利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，所述器 件失配模型为应用于SPICE仿真的模型，其包含器件失配信息，失配的偏移量 的大小作为输入参数由使用者定义。

4.根据权利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，所述参 数包括开启电压Vth、饱和电流Idsat、漏源电导Gds、跨导Gm、电阻值和电容 值以及其他电学特性参数。

5.根据权利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，所述仿 真运算使用SPICE仿真软件。

6.根据权利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，失配偏 移量的大小由使用者定义，单位为Sigma，Sigma值的信息包含在失配模型中， 并在建模时调整得和实际的器件性能的统计数据一致。

7.根据权利要求1所述的器件失配特性的建模方法，其特征在于，调节标 准模型中的各种参数包括开启电压Vth参数，迁移率U的参数，反应器件尺寸 的参数，反应栅氧化层厚度Tox的参数，最终调节的目的是使得该失配模型与 标准模型的差值和统计实际两个器件性能差值的方差一致。