[发明专利]带场板结构的功率金属氧化物半导体器件无效
| 申请号： | 200910052184.5 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101567386A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 吴小莉;许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种带场板结构的功率金属氧化物半导体器件，包括基底、氧化层、PN结、场板和偏移场板。氧化层在基底层上方。PN结位于基底内靠近氧化层处。场板位于氧化层的表面覆盖在PN结边界处。偏移场板位于氧化层的表面，与场板不连接。偏移场板用于在其上加偏移电压后，分散偏移场板下的电场，提高功率金属氧化物半导体器件的击穿电压。本发明提出的带场板结构的功率金属氧化物半导体器件，结构简单，易于实施，利用了分散半导体的场板下电场的方法，提高了半导体器件的击穿电压，另外，本发明中偏移场板上的偏移电压的变化能够实现半导体器件击穿电压的可变调节。 | ||
| 搜索关键词： | 板结 功率 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种带场板结构的功率金属氧化物半导体器件，其特征是，包括：基底；氧化层，在基底层上方；PN结，位于所述基底内靠近所述氧化层处；场板，位于所述氧化层的表面覆盖在所述PN结边界处；偏移场板，位于所述氧化层的表面，与所述场板不连接，所述偏移场板用于在其上加偏移电压后，分散所述偏移场板下的电场，提高功率金属氧化物半导体器件的击穿电压。。
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