[发明专利]带场板结构的功率金属氧化物半导体器件无效
| 申请号： | 200910052184.5 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101567386A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 吴小莉;许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 板结 功率 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种带场板结构的功率金属氧化物半导体器件，其特征是，包括：
基底；
氧化层，在基底层上方；
PN结，位于所述基底内靠近所述氧化层处；
场板，位于所述氧化层的表面覆盖在所述PN结边界处；
偏移场板，位于所述氧化层的表面，与所述场板不连接，所述偏移场板用于在其上加偏移电压后，分散所述偏移场板下的电场，提高功率金属氧化物半导体器件的击穿电压。。
2.根据权利要求1所述的带场板结构的功率金属氧化物半导体器件，其特征是，所述场板和所述偏移场板由金属铝制作。
3.根据权利要求1所述的带场板结构的功率金属氧化物半导体器件，其特征是，所述基底为硅衬底。
4.根据权利要求1所述的带场板结构的功率金属氧化物半导体器件，其特征是，所述场板的长度是可变的。
5.根据权利要求1所述的带场板结构的功率金属氧化物半导体器件，其特征是，所述功率金属氧化物半导体器件的击穿电压随着所述偏移电压的增大而增大。
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