[发明专利]快恢复二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910050725.0 | 申请日： | 2009-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101882631A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 商海涵 | 申请（专利权）人： | 商海涵 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/417;H01L21/329;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 200060 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快恢复二极管及其制造方法，涉及微电子领域，解决了由于传统工艺制备的快恢复二极管的DIE to DIE和WAFER to WAFER开关速度均匀性问题。快恢复二极管包括：硅衬底、淀积在所述硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在所述硅衬底上、且处于所述重掺杂阳极两侧的场氧，还包括：形成在所述重掺杂阳极上的白金硅化物层和形成在所述白金硅化物层上均匀的二氧化硅层。方法包括：在清洗后的淀积了重掺杂阳极和场氧的硅衬底上形成均匀的二氧化硅层；用溅射或者蒸发的方法淀积金属层；通过合金工艺，形成均匀的硅化物结。本发明应用于快恢复二极管的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管，包括：硅衬底、淀积在所述硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在所述硅衬底上、且处于所述重掺杂阳极两侧的场氧，其特征在于，还包括：形成在所述重掺杂阳极上的白金硅化物层和形成在所述白金硅化物层上均匀的二氧化硅层。
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