[发明专利]快恢复二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910050725.0 | 申请日： | 2009-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101882631A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 商海涵 | 申请（专利权）人： | 商海涵 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/417;H01L21/329;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 200060 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种快恢复二极管，包括：硅衬底、淀积在所述硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在所述硅衬底上、且处于所述重掺杂阳极两侧的场氧，其特征在于，还包括：形成在所述重掺杂阳极上的白金硅化物层和形成在所述白金硅化物层上均匀的二氧化硅层。
2.一种快恢复二极管制造方法，其特征在于，包括：
在清洗后的淀积了重掺杂阳极和场氧的硅衬底上形成均匀的二氧化硅层；
用溅射或者蒸发的方法淀积金属层；
通过合金工艺，形成均匀的硅化物结。
3.根据权利要求2所述的快恢复二极管制造方法，其特征在于，
所述均匀的二氧化硅层为采用双氧水浸泡或涂布的方法形成的，或者采用化学气相沉淀的方法形成的。
4.根据权利要求2所述的快恢复二极管制造方法，其特征在于，
所述金属层为金属铂层。
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