[发明专利]发光二极管芯片衬底结构的制造方法有效
| 申请号： | 200910048634.3 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101515626A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛;颜建锋;李士涛;陈诚;董云飞 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管芯片衬底结构的制造方法，在蓝宝石衬底表面上镀一层金属层，在该金属层上形成一层光刻胶膜层；应用光刻工艺将光刻胶膜层图形化以形成所期望的图案；应用回流工艺熔化该光刻胶膜层，使该光刻胶膜层形成多个凸包形；应用电感耦合等离子体蚀刻的方法将该光刻胶膜层的多个凸包形轮廓传递到该衬底上，在该衬底上形成多个凸包形微结构。通过在衬底上垫一层金属，可隔离蓝宝石衬底键能对光刻胶的影响，使光刻胶在金属层表面能够回流出更理想的图形，有利于制造出优良的具有微结构图形的衬底，从而减少发光二极管芯片的界面反射及内部吸收，改善外延生长的缺陷，提高芯片发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 衬底 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片衬底结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在衬底上表面上镀一层金属层；(2)在所述金属层上形成一层光刻胶膜层；(3)应用光刻工艺将光刻胶膜层图形化以形成所期望的图案；(4)应用回流工艺熔化该光刻胶膜层，使该光刻胶膜层形成多个凸包形；(5)应用刻蚀的方法将该光刻胶膜层的多个凸包形轮廓传递到该衬底上，在该衬底上表面上形成多个凸包形微结构。
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