[发明专利]圆片级扇出芯片封装方法

摘要

本发明涉及一种圆片级扇出芯片封装方法，包括以下工艺过程：在载体圆片表面依次覆盖剥离膜和薄膜介质层I，在薄膜介质层I上形成光刻图形开口I；在图形开口I及其表面实现与基板端连接之金属电极和再布线金属走线；在与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及薄膜介质层I的表面覆盖薄膜介质层II，并在薄膜介质层II上形成光刻图形开口II；在光刻图形开口II实现与芯片端连接之金属电极；将芯片倒装至与芯片端连接之金属电极后进行注塑封料并固化，形成带有塑封料的封装体；将载体圆片和剥离膜与带有塑封料的封装体分离，形成塑封圆片；植球回流，形成焊球凸点；单片切割，形成最终的扇出芯片结构。本发明方法成本低，具备载带功能，且能很好解决工艺过程芯片移位问题。

主权项

1、一种圆片级扇出芯片封装方法，其特征在于所述方法包括以下工艺过程：步骤一、准备与圆片尺寸一致的载体圆片，在载体圆片表面覆盖剥离膜；步骤二、在剥离膜表面覆盖薄膜介质层I，并在所述薄膜介质层I上形成设计的光刻图形开口I；步骤三、通过电镀、化学镀或溅射的方式在所述薄膜介质层I的图形开口I及其表面实现与基板端连接之金属电极和再布线金属走线，重复步骤二和步骤三实现多层走线；步骤四、在步骤三形成的与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及没有实现与基板端连接之金属电极和再布线金属走线的薄膜介质层I的表面覆盖薄膜介质层II，并在所述薄膜介质层II上形成设计的光刻图形开口II；步骤五、通过电镀、化学镀或溅射的方式在所述光刻图形开口II实现与芯片端连接之金属电极；步骤六、将带有IC芯片、金属柱/金属凸点和焊料的芯片倒装至与芯片端连接之金属电极，回流形成可靠连接，完成芯片倒装；步骤七、对完成芯片倒装的圆片进行注塑封料并固化，形成带有塑封料的封装体；步骤八、将载体圆片和剥离膜与带有塑封料的封装体分离，形成塑封圆片；步骤九、在步骤八形成塑封圆片后的与基板端连接之金属电极上植球回流，形成焊球凸点；步骤十、对形成焊球凸点的带有塑封料的封装体进行单片切割，形成最终的扇出芯片结构。