[发明专利]偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管。它包括N⁺4H-SiC衬底和同型N^-外延层；衬底背面设有N型欧姆接触；N^-外延层上设有多个同心环形P⁺区域，这些同心环形P⁺区域分为外部同心圆环和内部同心圆环；各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触；各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO₂钝化层；在该SiO₂钝化层上方设有场板。其制作过程是：在4H-SiC衬底正面生长N^-外延层；在N^-型外延层制作同心环形P⁺区域、SiO₂钝化层、肖特基接触、P型欧姆接触和场板；在4H-SiC衬底背面制作N型欧姆接触。本发明可用于大功率整流器及PFC电路。

主权项

1.一种偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管，包括N+ 4H-SiC衬底和同型N-外延层，4H-SiC衬底背面设有N型欧姆接触，其特征在于：N-外延层上设有n个同心环形P+区域，n≥2，这些同心环形P+区域按照直径的大小分为外部同心圆环和内部同心圆环；所述同心环形P+区域的各内部同心圆环的上方设有P型欧姆接触，各内部同心圆环间隔的区域上方设有肖特基接触；所述同心环形P+区域的各外部同心圆环的上方设有P型欧姆接触，各外部同心圆环间隔的区域上方设有SiO2钝化层，该SiO2钝化层上方设有场板。