[发明专利]硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法无效
| 申请号： | 200910020392.7 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101540361A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 李树强;徐现刚;张新;马光宇;吴小强;卢振 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法，该LED外延片采用硅衬底，在硅衬底上由下至上依次包括砷化镓低温缓冲层、砷化镓高温缓冲层、DBR反射层、铝镓铟磷下限制层、多量子阱发光区、铝镓铟磷上限制层、电流扩展层，其制备方法是直接用金属有机化学气相沉积设备按顺序逐层生长。本发明解决了硅衬底和铝镓铟磷发光层之间的热膨胀系数失配问题，在硅衬底上直接外延生长外延材料，由于硅的热导率(145.7W/m.K)是砷化镓衬底热导率(44W/m.K)的3.3倍，从而可以提高其大电流工作能力。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 铝镓铟磷 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片，其特征是：采用硅衬底，在硅衬底上由下至上依次包括砷化镓低温缓冲层、砷化镓高温缓冲层、DBR反射层、铝镓铟磷下限制层、多量子阱发光区、铝镓铟磷上限制层、电流扩展层。
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