[发明专利]存储器编程方法及存储器有效

专利信息
申请号: 200910009657.3 申请日: 2009-02-02
公开(公告)号: CN101685674A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 廖惇雨 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/12 分类号: G11C16/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种存储器编程方法及存储器,存储器包括多列存储单元,每一个存储单元包括二个半单元。存储器编程方法包括下列步骤。判断第n列存储单元的一欲编程单元的二个半单元是否均需被编程,n为正整数。若欲编程存储单元的二个半单元均需被编程,则施加对应于第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程此欲编程存储单元,否则施加对应于第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程此欲编程存储单元,第二初始编程偏压高于第一初始编程偏压。
搜索关键词: 存储器 编程 方法
【主权项】:
1、一种存储器编程方法,该存储器包括多个列存储单元,每一个存储单元包括二个半单元,其特征在于,该存储器编程方法包括:判断一第n列存储单元的一欲编程存储单元的二个半单元是否均需被编程,n为正整数;以及若该欲编程存储单元的该二个半单元均需被编程,则施加对应于该第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程该欲编程存储单元,否则施加对应于该第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程该欲编程存储单元,该第二初始编程偏压高于该第一初始编程偏压。
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