[发明专利]存储器编程方法及存储器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器编程方法及存储器，且特别是有关于一种 可以提高编程速度的存储器编程方法及存储器。

背景技术

存储器是应用于现今的多种数据储存的用途。请参照图1，其绘示的 是传统存储器编程方法的流程图。存储器包括多列存储单元，每一个存储 单元包括二个半单元。首先，于步骤S100中，施加一初始偏压IV1以编 程第1列存储单元，并持续增加编程电压直到第1列存储单元都通过编程 验证。其中，初始偏压IV1例如为2伏特，然后以步阶渐增(step increasing) 的方式逐渐增加。

然而，若对应于每一个半单元的编程动作，编程电压均以2伏特为起 始而被逐渐增加至使得半单元通过编程验证，则如此一来将会浪费许多时 间，导致存储器编程速度降低。因此，于步骤S110中，将第1列存储单 元中，最快通过编程验证的存储单元所对应的编程电压与一定电压的差值 记录为初始偏压IV2。如此一来，当对下一列存储单元进行编程时，编程 电压即可不须以2伏特为起始而被逐渐增加，而可直接以比初始编程IV1 高的初始偏压IV2为起始，节省大量编程时间。

然后，于步骤S120中，施加初始偏压IVn为编程电压以编程第n列 存储单元，并持续增加编程电压直到第n列存储单元都通过编程验证，且 将第n列存储单元中，最快通过编程验证的存储单元所对应的编程电压与 一定电压的差值记录为初始偏压IVn+1，n为大于1的正整数。之后，于 步骤S130中，施加初始偏压IVn+1为编程电压以编程第(n+1)列存储单元， 并持续增加编程电压直到第(n+1)列存储单元都通过编程验证。

然而，在单一存储单元内的二个半单元可能会导致彼此间的交互作 用。例如，当左半单元被编程后，在存储单元左侧所捕捉到的电荷增加而 使得沟道电流减少。然而，因为第二位效应(second bit effect)，当读取右半 单元时电流亦会减少。亦即，当于单一存储单元内编程第二位(左半单元及 右半单元互为彼此的第二位)时，产生相同阈值电压所需要的热电子较少。 因为第二位效应的存在，当二个半单元都需要被编程时，编程偏压可能较 低。学习编程偏压可能一直低于第一个通过编程验证的存储单元的编程电 压。若相对于前一列只有一个学习编程偏压，对于只有一个半单元需被编 程的存储单元而言，可能需要更多的编程脉冲以通过编程验证，浪费编程 时间，导致存储器编程速度降低。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种存储器编程方法及存储 器，根据欲编程存储单元的二个半单元是否均需被编程，而施加两个不同 的初始编程偏压之一以编程欲编程存储单元，以提高存储器编程的速度， 减少存储器编程的时间。

根据本发明的第一方面，提出一种存储器编程方法，存储器包括多列 多位阶单元，每一个多位阶单元包括二个半单元。存储器编程方法包括下 列步骤。判断第n列多位阶单元的多位阶单元的二个半单元是否均需被编 程，n为正整数。若二个半单元均需被编程，则施加对应于第n列多位阶 单元的第一初始编程偏压以编程此多位阶单元，否则施加对应于第n列多 位阶单元的第二初始编程偏压以编程此多位阶单元，第二初始编程偏压高 于第一初始编程偏压。

根据本发明的第二方面，提出一种存储器，包括多列存储单元以及一 控制电路。每一个存储单元包括二个半单元。控制电路耦接至此些存储单 元。其中，若第n列存储单元的一欲编程存储单元的二个半单元均需被编 程，则控制电路施加对应于第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程欲 编程存储单元，否则控制电路施加对应于第n列存储单元的第二初始编程 偏压以编程欲编程存储单元，第二初始编程偏压高于第一初始编程偏压， n为正整数。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配 合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1绘示传统存储器编程方法的流程图。

图2绘示依照本发明较佳实施例的存储器编程方法的流程图。

图3A绘示依照本发明较佳实施例的存储器的示意图。

图3B绘示依照本发明较佳实施例的存储器的控制电路的一例的电路 图。

图4绘示依照本发明较佳实施例的存储器编程方法的详细流程图。

【主要元件符号说明】

300：存储器

310：存储单元

320、330：半单元