[发明专利]存储器编程方法及存储器

权利要求书

1.一种存储器编程方法，该存储器包括多列存储单元，每列存储单 元包括多个存储单元，每一个存储单元包括二个半单元，其特征在于，该 存储器编程方法包括：

判断一第n列存储单元的一欲编程存储单元的二个半单元是否均需被 编程，n为正整数；以及

若该欲编程存储单元的该二个半单元均需被编程，则施加对应于该第 n列存储单元的第一初始编程偏压以编程该欲编程存储单元，否则施加对 应于该第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程该欲编程存储单元，该 第二初始编程偏压高于该第一初始编程偏压。

2.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于，该存储器 为一电荷捕捉存储器。

3.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于，该第一初 始编程偏压与该第二初始编程偏压是被施加于该欲编程存储单元的漏极 端。

4.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于，该第一初 始编程偏压与该第二初始编程偏压是被施加于该欲编程存储单元所对应 的字线。

5.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于，更包括：

若该欲编程存储单元的该二个半单元均需被编程，且该欲编程存储单 元为该第n列存储单元中最先通过编程验证的，则记录该欲编程存储单元 通过编程验证时的编程电压与一定电压的差值为对应于一第n+1列存储单 元的第一初始编程偏压。

6.根据权利要求5所述的存储器编程方法，其特征在于，对应于该 第n+1列存储单元的第一初始编程偏压亦被做为对应于一第n+2列存储单 元的第一初始编程偏压。

7.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于，更包括：

若仅该欲编程存储单元的该二个半单元之一需被编程，且该欲编程存 储单元为该第n列存储单元中最先通过编程验证的，则记录该欲编程存储 单元通过编程验证时的编程电压与一定电压的差值为对应于一第n+1列存 储单元的第二初始编程偏压。

8.根据权利要求7所述的存储器编程方法，其特征在于，对应于该 第n+1列存储单元的第二初始编程偏压亦被做为对应于一第n+2列存储单 元的第二初始编程偏压。

9.一种存储器，其特征在于，包括：

多列存储单元，每列存储单元包括多个存储单元，每一个存储单元包 括二个半单元；以及

一控制电路，耦接至该多个存储单元，并用以判断该第n列存储单元 的一欲编程存储单元的该二个半单元是否均需被编程，n为正整数；

其中，若该欲编程存储单元的该二个半单元均需被编程，则该控制电 路施加对应于该第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程该欲编程存储 单元，否则该控制电路施加对应于该第n列存储单元的第二初始编程偏压 以编程该欲编程存储单元，该第二初始编程偏压高于该第一初始编程偏 压。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，该存储器为一电荷 捕捉存储器。

11.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，该控制电路是施加 该第一初始编程偏压或该第二初始编程偏压于该欲编程存储单元的漏极 端。

12.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，该控制电路是施加 该第一初始编程偏压或该第二初始编程偏压于该欲编程存储单元所对应 的字线。

13.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，若该欲编程存储单 元的该二个半单元均需被编程，且该欲编程存储单元为该第n列存储单元 中最先通过编程验证的，则该控制电路记录该欲编程存储单元通过编程验 证时的编程电压与一定电压的差值为对应于一第n+1列存储单元的第一初 始编程偏压。

14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，对应于该第n+1 列存储单元的第一初始编程偏压亦被做为对应于一第n+2列存储单元的第 一初始编程偏压。