[发明专利]一种晶片结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910007298.8 | 申请日： | 2009-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101814454A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 何荣;林志光;曾令旭;朱作华 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种晶片结构的制造方法，包括以下步骤：提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；在上述结构上提供图案化的光阻；以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟槽结构的基底表面；再沉积一层氮化物层；在该结构的预定的低压区沉积一层光阻，而后以该光阻为光罩层蚀刻该结构的预定的高压区，去除预定的高压区的氮化物层，再去除光阻；在预定的高压区和预定的低压区生长第二氧化物层。本发明增加的一道工序，既可以提高STI线性氧化物层的厚度，解决高压区STI弯角氧化物变薄的问题，又不会遇到氮化硅黄光制程中产生的稳定性能力的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；步骤2，在步骤1的结构上提供图案化的光阻；步骤3，以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；步骤4，沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟槽结构的基底表面；步骤6，再沉积一层氮化物层；步骤7，在该结构的预定的低压区沉积一层光阻，而后以该光阻为光罩层蚀刻该结构的预定的高压区，去除预定的高压区的氮化物层，再去除光阻；步骤8，在预定的高压区和预定的低压区再生长一层氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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