[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910007170.1 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101552321A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 黑土健三;寺尾元康;高浦则克;藤崎芳久;小野和夫;屉子佳孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 固体电解质存储器存在因反复重写导致固体电解质中的离子A量及电极的形状发生变化，因此难以稳定地重写的问题。本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置利用固体电解质层的电阻变化来存储信息或者使电路连接发生变化，其中，使固体电解质层的组成为例如Cu-Ta-S，与其邻接或接近的离子供给层的组成为Cu-Ta-O，由离子供给层供给的离子在固体电解质层内形成导电通路，从而根据电阻高低存储信息，通过施加电脉冲，能够使电阻发生变化。上述离子供给层是具有例如Cu-Ta-O＝1∶2∶6的组成比的结晶，能够稳定地进行重写动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具有：设置在衬底上的通过使电阻发生变化来记录信息的记录层，设置在所述记录层的所述衬底侧的一个主面上的第1电极，设置在所述记录层的与所述一个主面对向的另一主面上的第2电极，所述记录层包含配置在与所述第1电极连接的一侧的第1层和配置在与所述第2电极连接的一侧的第2层这样至少2层，所述第1层为结晶相，所述结晶相含有选自Ag、Cu、Au、Zn中的至少1种元素、和选自Ta、W、Mo、Gd中的至少1种元素、和氧，所述第2层含有选自Ag、Cu、Au、Zn中的至少1种元素和选自S、Se、Te中的至少1种元素。
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