[发明专利]有机EL装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910005320.5 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101504950A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 武井周一;北林厚史 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋 亭;苗 堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机EL装置及其制造方法，该有机EL装置可以防止由于有机平坦化层所产生的气体而导致的显示品质的降低。在无机隔壁(12、12A)中形成有贯通无机隔壁(12、12A)而到达有机平坦化层(10)的无机隔壁贯通孔(12b)。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机EL装置，其特征在于，具备：基板；有机平坦化层，其形成在所述基板上；第一电极，其形成在所述有机平坦化层上；隔壁，其形成在所述第一电极上，并形成有划分所述第一电极且使其上部露出的开口部；功能层，其设置在所述隔壁的开口部内；第二电极，其覆盖所述功能层而设置，所述隔壁至少具备无机隔壁，在所述无机隔壁中，形成有贯通所述无机隔壁并到达所述有机平坦化层的无机隔壁贯通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
