[发明专利]有机EL装置及其制造方法无效
| 申请号: | 200910005320.5 | 申请日: | 2009-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN101504950A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
| 发明(设计)人: | 武井周一;北林厚史 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/822 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蒋 亭;苗 堃 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 el 装置 及其 制造 方法 | ||
1、一种有机EL装置,其特征在于,具备:
基板;
有机平坦化层,其形成在所述基板上;
第一电极,其形成在所述有机平坦化层上;
隔壁,其形成在所述第一电极上,并形成有划分所述第一电极且使其上部露出的开口部;
功能层,其设置在所述隔壁的开口部内;
第二电极,其覆盖所述功能层而设置,
所述隔壁至少具备无机隔壁,
在所述无机隔壁中,形成有贯通所述无机隔壁并到达所述有机平坦化层的无机隔壁贯通孔。
2、根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
所述隔壁具备具有亲液性的所述无机隔壁和具有疏液性的有机隔壁,
所述有机隔壁,形成在所述无机隔壁上,所述有机隔壁的端部比所述无机隔壁的端部更靠近所述无机隔壁中形成的所述无机隔壁贯通孔侧而形成。
3、根据权利要求2所述的有机EL装置,其特征在于,
所述无机隔壁,具备在所述有机平坦化层侧形成的第一无机隔壁和在所述有机隔壁侧形成的第二无机隔壁,
所述第二无机隔壁的端部,比所述第一无机隔壁的端部更靠近所述无机隔壁中形成的所述无机隔壁贯通孔侧而形成。
4、根据权利要求2或3所述的有机EL装置,其特征在于,
在所述有机隔壁中形成有有机隔壁贯通孔,该有机隔壁贯通孔贯通所述有机隔壁而与所述无机隔壁贯通孔连通或通过所述无机隔壁贯通孔到达所述有机平坦化层。
5、根据权利要求1~4中任一项所述有机EL装置,其特征在于,
所述无机隔壁贯通孔,其开口散布在所述开口部的周围或在所述开口部的周围连续地形成为槽状。
6、一种有机EL装置的制造方法,是在基板上形成的第一电极和第二电极之间具有功能层的有机EL装置的制造方法,其特征在于,具有:
在所述基板上形成有机平坦化层的工序;
在所述有机平坦化层上形成所述第一电极的工序;
在所述第一电极上形成无机材料层的工序;
在所述无机材料层中,以形成划分所述第一电极且使其上部露出的开口部的方式形成无机隔壁,并形成贯通所述无机隔壁到达所述有机平坦化层的无机隔壁贯通孔的工序;
在所述开口部内形成功能层的工序;
覆盖所述功能层形成第二电极的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





