[发明专利]薄膜晶体管像素结构及其制造方法

摘要

薄膜晶体管像素结构及其制造方法，该像素结构包括：薄膜晶体管和显示区域。薄膜晶体管包括：栅极金属区，形成于一基板上；绝缘层，覆盖该栅极金属区；非晶硅层，形成于该绝缘层上；蚀刻阻抗层，形成于该非晶硅层上且对应该栅极金属区上；掺杂硅层，形成与该非晶硅层上并覆盖该蚀刻阻抗层；源极金属区和漏极金属区，覆盖该掺杂硅层，以及保护层，覆盖该源极金属区、漏极金属区以及该露出的部分蚀刻阻抗层。本发明可以降低像素结构的光漏电流。

主权项

一种薄膜晶体管像素结构，其特征在于包含：薄膜晶体管，以及显示区域；其中，该薄膜晶体管包括：栅极金属区，形成于一基板上；绝缘层，覆盖该栅极金属区；非晶硅层，形成于该绝缘层上；蚀刻阻抗层，形成于该非晶硅层上且对应该栅极金属区上；掺杂硅层，形成与该非晶硅层上并覆盖该蚀刻阻抗层；源极金属区和漏极金属区，覆盖该掺杂硅层，且该源极金属区、漏极金属区以及该掺杂硅层经图形化后，在该蚀刻阻抗层区域间隔一距离，以露出该部分蚀刻阻抗层；以及保护层，覆盖该源极金属区、漏极金属区以及该露出的部分蚀刻阻抗层；该显示区域包括：绝缘层，形成于一基板上；非晶硅层，形成于该绝缘层上，且该非晶硅层经图形化后形成复数个凸起；蚀刻阻抗层，形成与该非晶硅层上，并对应该复数个非晶硅层形成复数个凸起；保护层，形成与绝缘层上，并覆盖该复数个蚀刻阻抗层凸起；以及导电层，覆盖该保护层，并在该复数个蚀刻阻抗层凸起间形成裂缝。