[发明专利]薄膜晶体管像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管像素结构，其特征在于包含：

薄膜晶体管，以及

显示区域；

其中，该薄膜晶体管包括：

栅极金属区，形成于一基板上；

绝缘层，覆盖该栅极金属区；

非晶硅层，形成于该绝缘层上；

蚀刻阻抗层，形成于该非晶硅层上且对应该栅极金属区上；

掺杂硅层，形成与该非晶硅层上并覆盖该蚀刻阻抗层；

源极金属区和漏极金属区，覆盖该掺杂硅层，且该源极金属区、漏极金属区以及该掺杂硅层经图形化后，在该蚀刻阻抗层区域间隔一距离，以露出该部分蚀刻阻抗层；以及

保护层，覆盖该源极金属区、漏极金属区以及该露出的部分蚀刻阻抗层；

该显示区域包括：

绝缘层，形成于一基板上；

非晶硅层，形成于该绝缘层上，且该非晶硅层经图形化后形成复数个凸起；

蚀刻阻抗层，形成与该非晶硅层上，并对应该复数个非晶硅层形成复数个凸起；

保护层，形成与绝缘层上，并覆盖该复数个蚀刻阻抗层凸起；以及

导电层，覆盖该保护层，并在该复数个蚀刻阻抗层凸起间形成裂缝。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于：所述薄膜晶体管以及显示区域的蚀刻阻抗层为绝缘材料。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于：所述薄膜晶体管的蚀刻阻抗层面积小于非晶硅层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于：所述显示区域的保护层覆盖于所述漏极金属区的边缘，并与薄膜晶体管的保护层相隔一距离，以露出漏极金属区的部分金属。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于：所述导电层与该漏极金属区露出金属部分电性连接。

6.一种薄膜晶体管像素的制造方法，其特征在于该方法包括：

形成第一金属层于一基板上，并经图形化后形成栅极金属区；

形成绝缘层覆盖该栅极金属区；

形成非晶硅层于该绝缘层上；

形成蚀刻阻抗层于该非晶硅层上，并图形化后形成复数个凸起，且其中一个凸起对应于该栅极金属层上方；

形成掺杂硅层于该非晶硅层上，并覆盖该蚀刻阻抗层凸起；

形成第二金属层于该掺杂硅层上并覆盖位于该栅极金属区上方的该蚀刻阻抗层；

形成保护层，覆盖该第二金属层、绝缘层以及该复数个蚀刻阻抗层；以及

形成导电层，覆盖该保护层，并在该复数个蚀刻阻抗层凸起间形成裂缝。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管像素的制造方法，其特征在于：在图形化蚀刻阻抗层之后进一步包括：图形化非晶硅层，并对应蚀刻阻抗层形成复数个凸起。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管像素的制造方法，其特征在于：形成该第二金属层的方法包括：形成第二金属层于掺杂硅层上，图形化该第二金属层和该掺杂硅层，以形成源极金属区和漏极金属区，其中该源极金属区、该漏极金属区以及该掺杂硅层覆盖该栅极金属区上方的蚀刻阻抗层，并间隔一距离，以露出该部分蚀刻阻抗层。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管像素的制造方法，其特征在于：形成该保护层后，进一步图形化该保护层，使其在该漏极金属区上方间隔一距离，以露出该部分漏极金属。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管像素的制造方法，其特征在于：形成该导电层后，进一步图形化该导电层，使其与该漏极金属区电性连接，并在复数个蚀刻阻抗层凸起间形成裂缝。