[发明专利]制备和组装基材的方法有效
| 申请号： | 200910001319.5 | 申请日： | 2004-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101494169A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 贝尔纳·阿斯帕尔;克里斯特勒·拉贾赫-布朗夏尔 | 申请（专利权）人： | 特拉希特技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及制备和组装基材的方法，本发明尤其涉及一种用于移植被称作移植层的材料或电路或元件层的方法，该移植层形成在第一晶片材料中，并且该移植层的表面与第一晶片材料的表面平齐，所述方法包括：钻挖所述第一晶片材料经过一厚度，其中所述移植层至少在其外周周围或外周被进行钻挖，所述厚度小于所述第一晶片厚度但大于所述移植层的厚度；将该移植层移植到所述第二晶片材料上。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 组装 基材 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于移植被称作移植层的材料或电路或元件层(16，28)的方法，该移植层形成在第一晶片材料(12，22)中，并且该移植层的表面与第一晶片材料的表面平齐，所述方法包括：钻挖所述第一晶片材料(12，22)经过一厚度(ed)，其中所述移植层至少在其外周周围或外周被进行钻挖，所述厚度(ed)小于所述第一晶片厚度(e)但大于所述移植层(16，28)的厚度；将该移植层移植到所述第二晶片材料(14，24)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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