[发明专利]功率MOS晶体管器件及包括其的开关装置无效
| 申请号： | 200880132060.1 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102224593A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 让·米切尔·雷内斯;比阿特丽斯·贝尔努;勒内·埃斯科菲耶;皮埃尔·亚尔博;伊万娜·德朗 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种晶体管功率开关器件(700)，包括用于承载半导体主体的第一面(104)和第二面(106)之间的电流的垂直晶体管元件(108)的阵列，晶体管元件(108)的阵列包括第一面(104)处的第一半导体类型的源极区(114)的阵列、插入在源极区(114)和第二面(106)之间的与第一类型相反的第二半导体类型的至少一个p区(122、124、126)、以及至少一个控制电极(116)，用于以可开关方式控制电流流过p区(122、124、126)，以及传导层(110)，接触源极区(114)并且通过至少一个绝缘层(120)与控制电极(116)绝缘。该开关器件还包括与晶体管(108)阵列电气并联的至少一个反向偏置垂直雪崩二极管(702)，用于在器件的截止状态中传导第一面(104)和第二面(106)之间的击穿电流，并且具有与第一面(104)和传导层(110)接触的第二半导体类型的第一电流承载二极管区(704)和与第二面(106)电气连接的第一半导体类型的第二半导体区(706)。该开关器件还包括在每个雪崩二极管上接合到传导层(110)的电气连接引脚(128)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 晶体管 器件 包括 开关 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管功率开关器件(700)，包括半导体主体(101)，所述半导体主体(101)呈现相对的第一面(104)和第二面(106)，所述开关器件包括用于承载所述第一面和所述第二面之间电流的垂直晶体管元件(108)阵列，所述晶体管元件(108)阵列包括：所述第一面(104)处的第一半导体类型的第一电流承载晶体管区(114)阵列；至少一个第二电流承载晶体管区(122、124、126)，所述至少一个第二电流承载晶体管区(122、124、126)具有与所述第一类型相反的第二半导体类型并且被插入在所述第一半导体区(114)和所述第二面(106)之间；以及，至少一个控制电极(116)，所述至少一个控制电极用于以可开关方式控制所述电流流过所述第二晶体管区(122、124、126)；以及，传导层(110)，所述传导层接触所述第一电流承载区(114)并且通过至少一个绝缘层(120)与所述控制电极(116)绝缘，所述开关器件还包括：与所述晶体管(108)阵列电气并联的所述半导体主体(101)中的至少一个反向偏置垂直雪崩二极管(702)，用于在所述器件的截止状态下传导所述第一面(104)和所述第二面(106)之间的击穿电流，并且具有与所述第一面(104)和与所述传导层(110)接触的所述第二半导体类型的第一电流承载二极管区(704)和与所述第二面(106)电气连接的所述第一半导体类型的第二半导体区(706)。
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