[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200880128250.6 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102177587A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 妹尾贤 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;孙丽梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本说明书中，公开了一种耐压更高的半导体装置。本说明书中所公开的半导体装置具有：半导体元件区、外围耐压区、外围电极、绝缘膜及中间电极。在半导体元件区中形成有半导体元件。外围耐压区被形成在半导体元件区的周围，并由单一的导电性区域构成。半导体元件区和外围耐压区露出于半导体基板的一侧表面。外围电极沿着半导体基板的外周部而被形成在外围耐压区的表面上。外围电极与外围耐压区相导通。绝缘膜被形成在外围电极和半导体元件区之间的外围耐压区的表面上。中间电极被形成在绝缘膜上。中间电极的下面的绝缘膜厚度在外围电极一侧薄于半导体元件区一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备：半导体元件区，其露出于半导体基板的一侧表面，且形成有半导体元件；外围耐压区，其露出于半导体基板的所述一侧表面且被形成在半导体元件区的周围，并由单一的导电性区域构成；外围电极，其沿着半导体基板的外周部而被形成在外围耐压区的表面上，并与外围耐压区相导通；绝缘膜，其被形成在外围电极和半导体元件区之间的外围耐压区的表面上；中间电极，被形成在绝缘膜上；其中，在中间电极下面的绝缘膜的厚度在外围电极一侧薄于半导体元件区一侧。
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