[发明专利]放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置

摘要

本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。

主权项

一种放射线检测器的制造方法，其特征在于，具备：第1粉末制作步骤，其将掺杂了Cl的CdTe结晶或掺杂了Cl的CdZnTe结晶粉碎，制作第1粉末；和多晶半导体膜形成步骤，其将所述第1粉末作为原材料，通过蒸镀或升华法形成由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe的至少一个形成的多晶半导体膜，将所述多晶半导体膜作为放射线转换层。