[发明专利]放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置

权利要求书

1.一种放射线检测器的制造方法，其特征在于，具备：

第1粉末制作步骤，其将掺杂了Cl的CdTe结晶或掺杂了Cl的CdZnTe结晶粉碎，制作第1粉末；和

多晶半导体膜形成步骤，其将所述第1粉末作为原材料，通过蒸镀或升华法形成由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe的至少一个形成的多晶半导体膜，将所述多晶半导体膜作为放射线转换层。

2.根据权利要求1所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，

在所述第1粉末制作步骤之后具备第1混合体制作步骤，所述第1混合体制作步骤，将Cl掺杂的第1副原料即CdCl₂或ZnCl₂的任意一个作为第2粉末向所述第1粉末中添加，制作所述第1粉末及所述第2粉末的第1混合体；

在所述多晶半导体膜形成步骤中，将所述第1混合体作为原材料，通过蒸镀或升华法形成多晶半导体膜。

3.根据权利要求2所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，

在所述第1混合体制作步骤之后具备第2混合体制作步骤，所述第2混合体制作步骤是进一步添加Zn掺杂的第2副原料即Zn、ZnTe、ZnCl₂的任意一个作为第3粉末，来制作所述第1粉末、所述第2粉末及所述第3粉末的第2混合体；

在所述多晶半导体膜形成步骤中，将所述第2混合体作为原材料，通过蒸镀或升华法形成多晶半导体膜。

4.根据权利要求1所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，

在所述第1粉末制作步骤之后具备第3混合体制作步骤，所述第3混合体制作步骤向所述第1粉末添加Zn掺杂的第2副原料即Zn、ZnTe、ZnCl₂的任意一个作为第3粉末，来制作所述第1粉末及所述第3粉末的第3混合体；

在所述多晶半导体膜形成步骤中，将所述第3混合体作为原材料，通过蒸镀或升华法形成多晶半导体膜。

5.根据权利要求1～4中任意一所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，

在所述多晶半导体膜形成步骤之后，具备通过供给含有Cl原子的蒸气而向所述多晶半导体膜中进一步掺杂Cl的气相Cl掺杂步骤。

6.根据权利要求5所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，

所述气相Cl掺杂步骤是将CdCl₂或ZnCl₂的粉末或其烧结体与多晶半导体膜对置配置，在任意气氛下实施热处理的步骤。

7.根据权利要求6所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，

实施热处理的任意气氛是由稀有气体、N₂、O₂、H₂的任意一个或至少两个以上构成的混合气氛。

8.根据权利要求7所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，

稀有气体是He、Ne、Ar中的任意一个。

9.一种放射线检测器，其特征在于，

具备由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe中的至少任意一个形成的多晶半导体膜作为放射线转换层，所述Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe是将掺杂了Cl的CdTe结晶或掺杂了Cl的CdZnTe结晶粉碎，来制作第1粉末，并将所述第1粉末作为原材料，利用蒸镀或升华法形成的。

10.一种放射线摄像装置，用于进行放射线摄像，其特征在于，具备：

放射线检测器，其具备由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe中的至少任意一个形成的多晶半导体膜作为放射线转换层，所述Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe是将掺杂了Cl的CdTe结晶或掺杂了Cl的CdZnTe结晶粉碎，来制作粉末，并将所述粉末作为原材料，利用蒸镀或升华法形成的；

电荷蓄积电容元件，其对由所述放射线转换层生成的电荷进行蓄积；

开关元件，其与所述电荷蓄积电容元件电连接；

驱动电路，其借助与所述开关元件连接的电极布线使开关发挥作用；和

读出电路，其借助与所述开关元件连接的电极布线来读出所述电荷蓄积电容元件中蓄积的电荷；

所述电荷蓄积电容元件与所述开关元件被排列成二维阵列状。